上文分享了频率合成器的工作原理和主要指标，本文主要讲解集成电路质量检验的相关内容。

一、集成电路检验的的作用

主要作用是对集成电路元件的各项功能及参数指标进行检验，确定被测器件DUT是否具有或者不具有某些故障;确定和校正设计和/或者测试中的错误;确定引起DUT缺陷制造中的错误，保证各项参数能够达标。

二、集成电路检验的常见术语

1.有源电路区：包括功能电路元件、工作金属化层及其相连的集合(除梁式引线以外))的全部区域。

2.耦合(空气)桥：用于互连又与元件表面相隔离的台起金属化层。

3.沟通道：在FET结构中位于漏和源之间的区域。

4.受控环境：除允许的最大相对湿度不超过65%外，环境应是10000级的要坟。

5.裂纹：在受检验材料中存在的若干细裂缝(例如，玻璃钝化层裂纹)。

6.碎屑：残留在切痕中的原始电阻材料或经激光修正后的电阻材料碎末。

7.芯片涂层：为消除封装所产生的应力和防止芯片表面的划伤，在半导体器件表面所涂覆的一层软聚酰亚胺。

8.介质隔离：用绝缘层(如氧化物)围绕着单片半导体集成电路中的元件，使该电路中的一个或多个元件之间形成电的隔离。

9.单层或多层介质：为保护在再分布金属层或在焊球连接区上形成接触通孔，在芯片表面淀积的多层是层介质层。

10.扩散岛：在半导体材料中采用扩散工序( n-或p-型材料)所形成的一块体积(或区域) ，并由n-p (或p-n)结或介质材料(介质隔离、等平面工艺、SOS、SOI)与周围的半导体材料相隔离。

11.多余物：指来自微电路和封装以外的任何物质或在微电路封装内那些已离开了其原来或预定位置的任何非外来物。

12.功能电路元件：指二_极管、 晶体管、穿梭层、电容器和电阻器。

13.栅氧化层：将MOS结构的沟道与栅的金属化层(或用作栅电极的其他材料)相隔离的氧化层或其他介质层。

14.玻璃钝化层：芯片顶层的透视绝缘材料，它覆盖了除键合区域和梁式引线以外的有源电路区。

15.玻璃钝化层的裂纹：在玻璃钝化层中的细微裂缝。

16.结界线：指钝化层台阶的外边缘，它给出了p型和n型半导体材料之间边界的轮廓。有源结是指在电路元件正常工作时传导电流的任何一一个p-n结(例如：集成电极-基极结)。

17.切痕：修正或世割时从元件面积上被移去或被修正掉一部分材料的区域。

18.间隔线：用显微镜放大观察时在该放大倍数下能分辨两个不接触区域之间的可见距离或间隔。

19.多层金属化(导体) ：用于起互连作用的双层或多层金属或任何其他导电材料，这几层材料之间未用绝缘材料将它们彼此隔离，“下层金属” 指顶层金属下面的任一层金属。(见下图)

29.金属化层通孔：多层金属化层中一层与另一层的连接通道。

成都汉芯国科集成技术有限公司成立于2015年12月，拥有先进的半导体前道设备和工艺制造，完善的工艺制造流程。在集成电路测试方面主要包括产品可靠性测试、环境测试等，也可按需求进行DPA分析。希望本文对您有所帮助!